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IPD068P03L3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 70 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD068P03L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5196
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2023RL
Cinta adhesiva50Y2023
También conocido comoIPD068P03L3 G, SP001127838
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.610 | $8.05 |
| Total Precio | $8.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.610 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.677 |
| 250+ | $0.604 |
| 500+ | $0.531 |
| 1000+ | $0.485 |
| 2500+ | $0.433 |
| 5000+ | $0.408 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.558 |
| 7500+ | $0.503 |
| 12500+ | $0.482 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD068P03L3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5196
Re-reeling (Rollos a medida)50Y2023RL
Cinta adhesiva50Y2023
También conocido comoIPD068P03L3 G, SP001127838
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd100W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia100W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The IPD068P03L3 G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- 100% Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC-Q101
- Qualified to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6800µohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
100W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
100W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPD068P03L3GATMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto