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IPB036N12N3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 120 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB036N12N3GATMA1
No. Parte Newark47W3463
También conocido comoIPB036N12N3 G, SP000675204
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.430 |
| 10+ | $5.420 |
| 25+ | $5.140 |
| 50+ | $4.850 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPB036N12N3GATMA1
No. Parte Newark47W3463
También conocido comoIPB036N12N3 G, SP000675204
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120
Intensidad Drenador Continua Id180
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0036
Resistencia de Activación Rds(on)0.0029ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia300
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IPB036N12N3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado ON más bajas de la industria y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología OptiMOS™ de 120V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.
- Excelente rendimiento de conmutación
- RDS más bajo del mundo (ON)
- Muy bajo Qg y Qgd
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- MSL1 clasificado 2
- Amigable con el medio ambiente
- Eficiencia incrementada
- La más alta densidad de potencia
- Se requiere menos paralelismo
- Menor consumo de espacio de tablero
- Productos fáciles de diseñar
- Calificado según JEDE para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
- Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Nivel normal
- 100% prueba de avalancha
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0036
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
180
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0029ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65