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IPA60R125C6XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA60R125C6XKSA1
No. Parte Newark30T1821
También conocido comoIPA60R125C6, SP000685848
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.930 |
| 10+ | $3.610 |
| 25+ | $3.400 |
| 50+ | $3.190 |
| 100+ | $2.980 |
| 250+ | $2.750 |
| 500+ | $2.520 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA60R125C6XKSA1
No. Parte Newark30T1821
También conocido comoIPA60R125C6, SP000685848
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd34W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia34
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IPA60R125C6 is a 600V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed according to the Superjunction (SJ) principle with high class innovation. The C6 MOSFET provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler. CoolMOS™ Superjunction power MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems.
- Easy to control of switching behaviour
- Very high commutation ruggedness
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Improved power density
- Improved reliability
- Improved efficiency in hard switching applications
- Reduces possible ringing due to PCB layout
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
34
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
34W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IPA60R125C6XKSA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto