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IMBG120R350M1HXTMA1
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 4.7A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R350M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5313
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.210 |
| 10+ | $3.460 |
| 25+ | $3.130 |
| 50+ | $2.800 |
| 100+ | $2.460 |
| 250+ | $2.400 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R350M1HXTMA1
No. Parte Newark92AH5313
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id4.7
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia65
Disipación de Potencia Pd65W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
65W
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
65
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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