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IMBG120R030M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 56 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R030M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5307RL
Cinta adhesiva92AH5307
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
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663 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $18.350 | $18.35 |
| Total Precio | $18.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $18.350 |
| 10+ | $14.940 |
| 25+ | $14.120 |
| 50+ | $13.280 |
| 100+ | $12.450 |
| 250+ | $12.210 |
| 500+ | $11.950 |
| 1000+ | $10.360 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R030M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)92AH5307RL
Cinta adhesiva92AH5307
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id56
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
300W
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
56
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto