IKW40N120T2FKSA1
IGBT, 75A, 1.75V, 480W
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW40N120T2FKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 85X6005 |
| También conocido como | IKW40N120T2, SP000244962 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
1,200 Puede reservar stock ahora
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.750 |
| 10+ | $5.860 |
| 25+ | $5.560 |
| 50+ | $5.250 |
| 100+ | $4.950 |
| 250+ | $4.630 |
| 500+ | $4.310 |
Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IKW40N120T2FKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 38 semanas |
| No. Parte Newark | 85X6005 |
| También conocido como | IKW40N120T2, SP000244962 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Corriente del Colector Continua | 75 |
| Corriente de Colector DC | 75A |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.75 |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 1.75V |
| Disipación de Potencia | 480 |
| Disipación de Potencia Pd | 480W |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 1.2kV |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
El IKW40N120T2 es un IGBT de baja pérdida en tecnología TrenchStop® de segunda generación con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación suave y rápida La tecnología TrenchStop® IGBT conduce a una mejora significativa del rendimiento estático y dinámico del dispositivo, debido a la combinación de la celda TrenchStop® y el concepto de parada de campo. La combinación de IGBT con diodo controlado por emisor de recuperación suave minimiza aún más las pérdidas de encendido. La mayor eficiencia se alcanza debido al mejor compromiso entre el cambio y las pérdidas de conducción.
- Caída más baja de Vce (sat) para pérdidas de conducción más bajas
- Pérdidas de conmutación bajas
- Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en Vce (sat)
- Diodo HE controlado por emisor antiparalelo de recuperación muy suave y rápida
- Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
- Emisiones bajas de EMI
- Baja carga de compuerta
- Distribución de parámetros muy ajustada.
- Máxima eficiencia - bajas pérdidas de conducción y conmutación
- Alta confiabilidad del dispositivo
- Cortocircuito soportado por 10µs
Especificaciones técnicas
| Corriente del Colector Continua | 75 |
|---|---|
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 1.75 |
| Disipación de Potencia | 480 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 1.2kV |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Corriente de Colector DC | 75A |
|---|---|
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 1.75V |
| Disipación de Potencia Pd | 480W |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |