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IAUC80N04S6N036ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 80 A, 2820 µohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.510 |
| 10+ | $0.952 |
| 25+ | $0.845 |
| 50+ | $0.737 |
| 100+ | $0.630 |
| 250+ | $0.561 |
| 500+ | $0.492 |
| 1000+ | $0.447 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIAUC80N04S6N036ATMA1Copiar
No. Parte Newark66AH6155
Rango de ProductoOptiMOS 6
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2820
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia50
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 6
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2820
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
50
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 6
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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