CY62157EV30LL-45ZSXIT

CY62157EV30LL-45ZSXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 512K palabras de 16 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería™ (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Coloque el dispositivo en modo de espera cuando no esté seleccionado (CE1 ALTO activo bajo o CE2 BAJO o tanto BHE activo bajo como BLE activo bajo están ALTOS). Los pines de entrada o salida (I/O0 a I/O15) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (activo-bajo CE1 HIGH o CE2 LOW), las salidas están deshabilitadas (activo-bajo OE HIGH), la habilitación de byte alto y la habilitación de byte bajo están deshabilitadas (activo-bajo BHE, activo-bajo BLE HIGH) o una operación de escritura está activa (activo-bajo CE1 LOW, CE2 HIGH y activo-bajo WE LOW). Las aplicaciones incluyen edificios inteligentes y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).

• Amplio rango de voltaje de 2.20V a 3.60V
• Fácil expansión de memoria con funciones activas-bajas CE1, activas-bajas CE2 y activas-bajas OE
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• La corriente de espera típica es de 2µA
• Densidad de 8Mbit, × ancho de bus de 16
• Grado de velocidad de 45ns
• Paquete TSOP tipo II de 44 pines
• Rango de temperatura industrial de -40°C a 85°C