Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP613PH6327XTSA1
No. Parte Newark29X1531
Rango de ProductoSIPMOS Series
Hoja de datos técnicos
15,072 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 10+ | $0.845 |
| 100+ | $0.646 |
| 500+ | $0.560 |
| 1000+ | $0.490 |
| 3000+ | $0.461 |
| 10000+ | $0.449 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.70
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP613PH6327XTSA1
No. Parte Newark29X1531
Rango de ProductoSIPMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.8
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSIPMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSP613P H6327 is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
- Enhancement mode
- Avalanche rated
- dv/dt Rated
- AEC-Q101 qualified
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SIPMOS Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto