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BSO220N03MDGXUMA1
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO220N03MDGXUMA1Copiar
No. Parte Newark79X1339
También conocido comoBSO220N03MD G, SP000447478
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.170 |
| 10+ | $0.516 |
| 25+ | $0.471 |
| 50+ | $0.426 |
| 100+ | $0.381 |
| 250+ | $0.352 |
| 500+ | $0.322 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO220N03MDGXUMA1Copiar
No. Parte Newark79X1339
También conocido comoBSO220N03MD G, SP000447478
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0183
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0183
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4
Disipación de Potencia de Canal P1.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSO220N03MD G es un MOSFET de canal N dual optimizado para aplicaciones de controladores de 5V (portátiles, VGA y POL) y calificado para aplicaciones de nivel de consumidor. La compuerta y la carga de salida ultrabajas, junto con la resistencia de estado ON más baja en paquetes de tamaño reducido, hacen que los MOSFET de potencia OptiMOS™ sean la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de reguladores de voltaje en aplicaciones de servidor, comunicación de datos y telecomunicaciones.
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- Muy baja resistencia ON
- Carga de puerta excelente
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0183
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0183
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto