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BSC059N04LSGATMA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 73 A, 0.0049 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC059N04LSGATMA1.
No. Parte Newark25AC6431
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.312 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC059N04LSGATMA1.
No. Parte Newark25AC6431
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id73
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0049
Resistencia de Activación Rds(on)0.0049ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorPG-TDSON
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0049
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
73
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0049ohm
Disipación de Potencia Pd
50W
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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