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BSC020N03MSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.002 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC020N03MSGATMA1
No. Parte Newark60R2480
También conocido comoBSC020N03MS G, SP000311503
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC020N03MSGATMA1
No. Parte Newark60R2480
También conocido comoBSC020N03MS G, SP000311503
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0017ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.002
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd96W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia96
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza BSC020N03MSGATMA1
3 productos encontrados
Resumen del producto
El BSC020N03MS G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ que establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética. Se adapta a las necesidades de administración de energía mediante un comportamiento EMI mejorado, así como una mayor duración de la batería.
- Fácil de diseñar en
- Mayor vida útil de la batería
- Comportamiento EMI mejorado que hace obsoletas las redes de amortiguadores externos
- Ahorro de espacio
- Reducir las pérdidas de energía
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON) @ VGS = 4.5V
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Resistencia térmica superior
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.002
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
96
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0017ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia Pd
96W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto