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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBF998E6327HTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1746
Cinta adhesiva50Y1746
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBF998E6327HTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1746
Cinta adhesiva50Y1746
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id30mA
Disipación de Potencia200mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorTO-252
Encapsulado de Transistor RFSOT-143
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Disipación de Potencia Pd200mW
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The BF 998 E6327 is a silicon N-channel MOSFET Triode for low-noise and gain-controlled input stage up to 1GHz.
- Short-channel transistor with high S/C quality factor
- Qualified according AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Disipación de Potencia
200mW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
Encapsulado de Transistor RF
SOT-143
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
30mA
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
TO-252
No. de Pines
4Pines
Disipación de Potencia Pd
200mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
