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AUIRFR5305TRL
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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886 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.320 | $2.32 |
| Total Precio | $2.32 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.320 |
| 50+ | $1.960 |
| 100+ | $1.580 |
| 250+ | $1.500 |
| 500+ | $1.410 |
| 1000+ | $1.160 |
| 2500+ | $1.110 |
| 5000+ | $1.050 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | AUIRFR5305TRLCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 28 semanas |
| No. Parte Newark | Re-reeling (Rollos a medida)13AC8122RL Cinta adhesiva13AC8122 |
| Rango de Producto | HEXFET |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 31 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.065ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.065 |
| Diseño de Transistor | TO-252AA |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 110 |
| Disipación de Potencia Pd | 110W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | HEXFET |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Norma de Cualificación Automotriz | AEC-Q101 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (23-Jan-2024) |
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de grado automotriz diseñado específicamente para aplicaciones automotrices.
- Tecnología planar avanzada
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Clasificación dv/dot dinámica
- Velocidad de conmutación rápida y diseño de dispositivo reforzado
- Clasificado avalancha completa
- Avalancha repetitiva permitida hasta Taxa
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 55 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.065ohm |
| Diseño de Transistor | TO-252AA |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 110 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | HEXFET |
| Norma de Cualificación Automotriz | AEC-Q101 |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (23-Jan-2024) |
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 31 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.065 |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia Pd | 110W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza AUIRFR5305TRL
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (23-Jan-2024) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |