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AUIRF7343QTR
MOSFET Doble, Canal N y P Complementario, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7343QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC2192RL
Cinta adhesiva43AC2192
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.500 | $2.50 |
| Total Precio | $2.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.500 |
| 10+ | $2.090 |
| 25+ | $1.990 |
| 50+ | $1.870 |
| 100+ | $1.770 |
| 250+ | $1.710 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7343QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43AC2192RL
Cinta adhesiva43AC2192
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N55
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P55
Intensidad Drenador Continua Id4.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.043
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.043
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
- MOSFET automotriz HEXFET® power
- Calificado automotriz
- Tecnología planar avanzada
- Resistencia de encendido ultra baja
- Unidad de puerta de nivel lógico
- MOSFET de doble canal N y P
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
55
Intensidad Drenador Continua Id
4.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.043
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.043
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificado de conformidad del producto