AUIRF7341QTR

AUIRF7341QTR es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N dual Q101 de 55V para automoción en un paquete SO-8. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET calificado para uso automotriz son una temperatura de operación de unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones. El eficiente paquete SO-8 proporciona características térmicas mejoradas y capacidad para matriz MOSFET dual, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones de energía. Las aplicaciones potenciales incluyen inyección en puerto e inyección en solenoide.

• Tecnología planar avanzada, resistencia de encendido ultrabaja
• Accionamiento de puerta de nivel lógico, montaje en superficie
• El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de 55V mín AT (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25 °C
• La resistencia de drenaje a fuente estática es de 0.043 ohms típica a VGS = 10V, ID = 5.1A, TJ = 25 °C
• La fuga directa de puerta a fuente es de 100nA como máximo a VGS = 20V
• El voltaje de umbral de la puerta es de 3V como máximo en VDS = VGS, ID = 250µA
• El tiempo de subida es típico de 7.7ns a VDD = 28V, ID = 1.0A, RG = 6.0 ohms, VGS = 10V, TJ = 25 °C.
• El tiempo de caída es típico de 12.5ns a VDD = 28V, ID = 1.0A, RG = 6.0 ohms, VGS = 10V, TJ = 25 °C.
• El voltaje directo del diodo es 1.2V máximo a TJ = 25 °C, IS = 2.6A, VGS = 0V
• Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a + 175 °C