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AUIRF4905STRL
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF4905STRLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8125RL
Cinta adhesiva13AC8125
Rango de ProductoHEXFET Series
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15,707 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.200 | $7.20 |
| Total Precio | $7.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.200 |
| 50+ | $6.350 |
| 100+ | $5.820 |
| 250+ | $5.270 |
| 500+ | $4.580 |
| 1000+ | $3.630 |
| 2500+ | $3.450 |
| 5000+ | $3.240 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF4905STRLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8125RL
Cinta adhesiva13AC8125
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd170W
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de grado automotriz diseñado específicamente para aplicaciones automotrices.
- Tecnología planar avanzada
- MOSFET de canal P
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Velocidad de conmutación rápida y diseño de dispositivo reforzado
- Avalancha repetitiva permitida hasta Taxa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
170W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
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