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DIF120SIC022-AQ
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.570 |
| 5+ | $29.960 |
| 10+ | $29.350 |
| 25+ | $29.050 |
| 50+ | $28.740 |
| 100+ | $27.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDIF120SIC022-AQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark16AM8151
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id120
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0223
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia340
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0223
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
340
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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