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ZXT13P12DE6
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXT13P12DE6
No. Parte Newark70K9269
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.190 |
| 10+ | $0.989 |
| 25+ | $0.888 |
| 50+ | $0.805 |
| 100+ | $0.708 |
| 250+ | $0.637 |
| 500+ | $0.531 |
| 1000+ | $0.515 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXT13P12DE6
No. Parte Newark70K9269
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor12V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo12V
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia1.1W
Disipación de Potencia Pd1.1W
Corriente de Colector DC4A
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE500hFE
No. de Pines6Pines
Frecuencia de Transición55MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.500hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXT13P12DE6 es un transistor bipolar de conmutación de baja saturación de silicio SuperSOT4™ PNP. Es un transistor de saturación ultrabaja de cuarta generación que utiliza la estructura de matriz Zetex combinada con técnicas de ensamblaje avanzadas para brindar pérdidas de estado extremadamente bajas. Esto lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de bajo voltaje y alta eficiencia.
- Resistencia encendida equivalente extremadamente baja
- Voltaje de saturación extremadamente bajo
- HFE caracterizado hasta 15A
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
12V
Disipación de Potencia
1.1W
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
6Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
500hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12V
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
500hFE
Frecuencia de Transición
55MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto