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ZXT13N50DE6
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXT13N50DE6
No. Parte Newark98K4165
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.140 |
| 10+ | $0.959 |
| 25+ | $0.861 |
| 50+ | $0.780 |
| 100+ | $0.686 |
| 250+ | $0.618 |
| 500+ | $0.514 |
| 1000+ | $0.499 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXT13N50DE6
No. Parte Newark98K4165
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia1.1
Disipación de Potencia Pd1.1W
Corriente de Colector DC4A
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines6Pines
Frecuencia de Transición115
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.450
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXT13N50DE6 es un transistor bipolar de conmutación de baja saturación de silicio SuperSOT4™ NPN. Es un transistor de saturación ultrabaja de cuarta generación que utiliza la estructura de matriz Zetex combinada con técnicas de ensamblaje avanzadas para brindar pérdidas de estado extremadamente bajas. Esto lo hace ideal para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta eficiencia.
- Resistencia encendida equivalente extremadamente baja
- Voltaje de saturación extremadamente bajo
- HFE caracterizado hasta 10A
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia
1.1
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
115
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
6Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
450
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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