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ZXMP4A16K
MOSFET, P CHANNEL, 40V, -9.9A, DPAK
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP4A16K
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M5703
Cinta adhesiva13M5703
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.810 |
| 25+ | $1.650 |
| 50+ | $1.520 |
| 100+ | $1.320 |
| 250+ | $1.200 |
| 500+ | $1.070 |
| 1000+ | $1.040 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP4A16K
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M5703
Cinta adhesiva13M5703
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id9.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd9.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia9.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP4A16K es un MOSFET de modo de mejora de canal P de trinchera de nueva generación de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Esto lo hace ideal para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
9.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
9.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
9.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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