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ZXMP3F30FHTA
MOSFET, P-CH, 30V, 3.4A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP3F30FHTA
No. Parte Newark29AK9187
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.659 |
| 10+ | $0.459 |
| 25+ | $0.406 |
| 50+ | $0.352 |
| 100+ | $0.299 |
| 250+ | $0.264 |
| 500+ | $0.228 |
| 1000+ | $0.202 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP3F30FHTA
No. Parte Newark29AK9187
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.4W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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