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ZXMN3B04N8TA
MOSFET, CANAL N, 30V, 8.9A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN3B04N8TACopiar
No. Parte Newark29AK9173
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.790 |
| 10+ | $1.140 |
| 25+ | $1.020 |
| 50+ | $0.890 |
| 100+ | $0.763 |
| 250+ | $0.674 |
| 500+ | $0.584 |
| 1000+ | $0.546 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN3B04N8TACopiar
No. Parte Newark29AK9173
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id8.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
8.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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