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ZXMN3A14FQTA
MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN3A14FQTA
No. Parte Newark29AK9172
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.773 |
| 10+ | $0.642 |
| 25+ | $0.576 |
| 50+ | $0.511 |
| 100+ | $0.445 |
| 250+ | $0.413 |
| 500+ | $0.381 |
| 1000+ | $0.346 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN3A14FQTA
No. Parte Newark29AK9172
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.048ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.048ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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