Imprimir página
ZXMN10A11G
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 2.4 A, 0.35 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A11GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4130RL
Cinta adhesiva98K4130
Su número de pieza
641 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.200 | $1.20 |
| Total Precio | $1.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.994 |
| 25+ | $0.891 |
| 50+ | $0.806 |
| 100+ | $0.707 |
| 250+ | $0.635 |
| 500+ | $0.526 |
| 1000+ | $0.511 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A11GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K4130RL
Cinta adhesiva98K4130
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id2.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.6ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.9
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMN10A11G es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeado y acabado de estaño mate soldable recocido sobre terminales de marco de plomo de cobre según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Accionamiento de puerta baja
- Baja capacitancia de entrada
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.9W
Disipación de Potencia
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZXMN10A11G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto