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ZXMN10A07F
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A07FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6603
Re-reeling (Rollos a medida)98K4128RL
Cinta adhesiva98K4128
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.637 | $0.64 |
| Total Precio | $0.64 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.637 |
| 50+ | $0.533 |
| 100+ | $0.478 |
| 250+ | $0.433 |
| 500+ | $0.381 |
| 1000+ | $0.343 |
| 2500+ | $0.285 |
| 5000+ | $0.277 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.285 |
| 9000+ | $0.280 |
| 15000+ | $0.264 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN10A07FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6603
Re-reeling (Rollos a medida)98K4128RL
Cinta adhesiva98K4128
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id640mA
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.7ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El ZXMN10A07F es un MOSFET de modo de mejora de canal N de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
640mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.7ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
625mW
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZXMN10A07F
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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