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ZXMHC6A07T8TA
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.630 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.290 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.010 |
| 500+ | $0.921 |
| 1000+ | $0.881 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC6A07T8TA
No. Parte Newark38K9588
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id1.8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1.5ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.7W
Disipación de Potencia de Canal P1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZXMHC6A07T8TA es un MOSFET de puente en H de modo de mejora de 60 V que utiliza una estructura única y combina los beneficios de una baja resistencia con una velocidad de conmutación rápida. Esto hace que el MOSFET sea ideal para aplicaciones de alta eficiencia, bajo voltaje y administración de energía.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1.5ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.7W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.5ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZXMHC6A07T8TA
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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