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ZXM62P03E6TA
MOSFET, CANAL P, 30V, 1.5A, SOT-26
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM62P03E6TACopiar
No. Parte Newark29AK9204
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.808 |
| 25+ | $0.716 |
| 50+ | $0.623 |
| 100+ | $0.531 |
| 250+ | $0.472 |
| 500+ | $0.412 |
| 1000+ | $0.374 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXM62P03E6TACopiar
No. Parte Newark29AK9204
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.15ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia625mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.15ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625mW
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto