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ZVP4525E6TA
MOSFET, P CH, -250V, -197A, 1.1W
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
| 10+ | $0.988 |
| 25+ | $0.891 |
| 50+ | $0.794 |
| 100+ | $0.697 |
| 250+ | $0.639 |
| 500+ | $0.580 |
| 1000+ | $0.541 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP4525E6TA
No. Parte Newark07AH4932
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id197mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente14ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
14ohm
Diseño de Transistor
SOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
197mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza ZVP4525E6TA
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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