Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP2110ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark98K4111
Su número de pieza
2,120 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.790 |
| 10+ | $1.180 |
| 100+ | $0.837 |
| 500+ | $0.820 |
| 1000+ | $0.804 |
| 2500+ | $0.787 |
| 10000+ | $0.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.79
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP2110ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark98K4111
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id230mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd700mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia700mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El ZVP2110A es un DMOS FET vertical con modo de mejora de canal P de línea E de -100 V con resistencia de 8O y disipación de potencia de 700 mW.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
230mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
700mW
Disipación de Potencia
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
