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ZVP2106G
P CHANNEL DMOS FET, -60V, 450mA, SOT-223
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP2106G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6597
Re-reeling (Rollos a medida)26M5004
Cinta adhesiva26M5004
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Hoja de datos técnicos
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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.25 |
| 10+ | $1.09 |
| 25+ | $1.00 |
| 50+ | $0.92 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.63 |
| 2000+ | $0.59 |
| 4000+ | $0.55 |
| 6000+ | $0.53 |
| 10000+ | $0.52 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVP2106G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6597
Re-reeling (Rollos a medida)26M5004
Cinta adhesiva26M5004
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id450mA
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZVP2106G es un DMOSFET vertical de modo de mejora de canal P de -60 V diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Alta velocidad de conmutación
- Calificado AEC-Q101
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
- Libre de halógenos
- Producto verde
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
450mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2W
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza ZVP2106G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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