Imprimir página
ZVP2106A
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 280 mA, 5 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | DIODES INC. |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | ZVP2106ACopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | 85K9995 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
15,305 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.090 |
| 10+ | $1.080 |
| 100+ | $0.940 |
| 500+ | $0.921 |
| 1000+ | $0.902 |
| 2500+ | $0.884 |
| 10000+ | $0.865 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.09
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
| Fabricante | DIODES INC. |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | ZVP2106ACopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 43 semanas |
| No. Parte Newark | 85K9995 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 280mA |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 5ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 4ohm |
| Diseño de Transistor | TO-226AA |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia Pd | 700mW |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.5V |
| Disipación de Potencia | 700mW |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El ZVP2106A es un transistor MOSFET de modo de mejora de canal P con corriente de drenaje pulsada -4A.
- ±20V voltaje de fuente de compuerta
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 60V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 5ohm |
| Diseño de Transistor | TO-226AA |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3.5V |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 280mA |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 4ohm |
| Montaje de Transistor | Through Hole |
| Disipación de Potencia Pd | 700mW |
| Disipación de Potencia | 700mW |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (04-Feb-2026) |
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |