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ZVN4306GVTA
MOSFET, N-CH, 60V, 2.1A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4306GVTA
No. Parte Newark29AK9116
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.690 |
| 10+ | $1.420 |
| 25+ | $1.280 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.984 |
| 250+ | $0.919 |
| 500+ | $0.853 |
| 1000+ | $0.708 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4306GVTA
No. Parte Newark29AK9116
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia3W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto