Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4206AVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark98K4105
Su número de pieza
4,021 En Inventario
4,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.808 |
| 100+ | $0.531 |
| 500+ | $0.355 |
| 1000+ | $0.323 |
| 2500+ | $0.306 |
| 12000+ | $0.300 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.29
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN4206AVCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark98K4105
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorE-Line
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd700mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia700mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZVN4206AV es un DMOSFET vertical de modo de mejora de canal N con clasificación de avalancha repetitiva y no requiere protección transitoria. Es adecuado para aplicaciones de controladores de relés automotrices y controladores de motores paso a paso.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
E-Line
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
700mW
Disipación de Potencia
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
