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ZVN2120GTA.
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 320 mA, 10 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN2120GTA.Copiar
No. Parte Newark61AC2985
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN2120GTA.Copiar
No. Parte Newark61AC2985
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id320
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)10ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia2
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
320
Resistencia de Activación Rds(on)
10ohm
Disipación de Potencia Pd
2W
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto