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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteVN10LFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6578
Re-reeling (Rollos a medida)98K2374RL
Cinta adhesiva98K2374
Su número de pieza
3,882 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.562 | $0.56 |
| Total Precio | $0.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.562 |
| 50+ | $0.471 |
| 100+ | $0.424 |
| 250+ | $0.385 |
| 500+ | $0.340 |
| 1000+ | $0.307 |
| 2500+ | $0.257 |
| 5000+ | $0.250 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.341 |
| 6000+ | $0.335 |
| 9000+ | $0.316 |
| 15000+ | $0.300 |
| 30000+ | $0.284 |
| 75000+ | $0.275 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteVN10LFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6578
Re-reeling (Rollos a medida)98K2374RL
Cinta adhesiva98K2374
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id150mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
VN10LF is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 60V
- Continuous drain current at Tamb=25°C is 150mA
- Pulsed drain current is 3A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 330mW
- Static drain source on state resistance is 5ohm max at VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C
- Zero gate voltage drain current is 10µA max at VDS=60 V, VGS=0V, Tamb=25°C
- Turn-on/off time is 10ns maximum at VDD ≈15V, ID=600mA, Tamb=25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
330mW
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza VN10LF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
