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DMTH84M1SPSQ-13
MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, POWERDI5060
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark13AJ5653
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark13AJ5653
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorPowerDI5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia136W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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