Imprimir página
DMTH4007LPSQ-13
MOSFET, N-CH, 40V, 85A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH4007LPSQ-13
No. Parte Newark28AK8825
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
2,500 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.090 |
| 10+ | $0.890 |
| 25+ | $0.802 |
| 50+ | $0.713 |
| 100+ | $0.634 |
| 250+ | $0.594 |
| 500+ | $0.559 |
| 1000+ | $0.534 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.09
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH4007LPSQ-13
No. Parte Newark28AK8825
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id85A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia83.3W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5400µohm
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
85A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
83.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto