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DMT6009LPS-13
MOSFET, N-CH, 60V, 87A, POWERDI 5060 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6009LPS-13
No. Parte Newark28AK8884
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $0.902 |
| 25+ | $0.825 |
| 50+ | $0.748 |
| 100+ | $0.671 |
| 250+ | $0.614 |
| 500+ | $0.557 |
| 1000+ | $0.533 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6009LPS-13
No. Parte Newark28AK8884
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id87A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia113W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7200µohm
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
87A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
113W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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