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DMT6006LSS-13
MOSFET, N-CH, 60V, 11.9A, 150DEGC, 1.38W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6006LSS-13
No. Parte Newark68AH9589
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $1.010 |
| 25+ | $0.917 |
| 50+ | $0.819 |
| 100+ | $0.722 |
| 250+ | $0.660 |
| 500+ | $0.597 |
| 1000+ | $0.556 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6006LSS-13
No. Parte Newark68AH9589
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id11.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.74V
Disipación de Potencia1.38W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.38W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.74V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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