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DMT10H9M9SCT
POWER MOSFET, 100V, 99A, TO-220AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H9M9SCT
No. Parte Newark76AJ4293
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $1.370 |
| 100+ | $1.190 |
| 500+ | $1.120 |
| 1000+ | $0.983 |
| 2500+ | $0.945 |
| 5000+ | $0.933 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.66
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H9M9SCT
No. Parte Newark76AJ4293
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id99A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7200µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.9V
Disipación de Potencia156W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
156W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
99A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7200µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.9V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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