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DMPH4015SSS-13
MOSFET, CANAL P, 40V, 11.4A, SOIC
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8662
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.870 |
| 10+ | $1.190 |
| 25+ | $1.060 |
| 50+ | $0.931 |
| 100+ | $0.799 |
| 250+ | $0.716 |
| 500+ | $0.664 |
| 1000+ | $0.636 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8662
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id11.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.4W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.4W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
11.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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