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DMP6350S-7
MOSFET, CANAL P, -60V, -1.5A, SOT23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6350S-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4843
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3818RL
Cinta adhesiva07AH3818
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.932 | $0.93 |
| Total Precio | $0.93 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.932 |
| 50+ | $0.441 |
| 100+ | $0.393 |
| 250+ | $0.387 |
| 500+ | $0.380 |
| 1000+ | $0.374 |
| 2500+ | $0.367 |
| 5000+ | $0.309 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.215 |
| 9000+ | $0.193 |
| 15000+ | $0.189 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP6350S-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4843
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3818RL
Cinta adhesiva07AH3818
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.257ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd720mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia720mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
DMP6350S-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -1.5A at TA = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.72W
- Static drain-source on-resistance is 350mohm max at VGS = -10V, ID = -0.9A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
720mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.257ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
720mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMP6350S-7
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto