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DMP6018LPSQ-13
MOSFET, CANAL P, 60V, 60A, POWERDI 5060
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark21AJ9860
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.550 |
| 10+ | $1.640 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.300 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.953 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark21AJ9860
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia2.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
2.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto