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DMP56D0UFB-7
MOSFET, P-CH, 50V, 0.2A, X1-DFN1006 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP56D0UFB-7
No. Parte Newark28AK8793
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.433 |
| 10+ | $0.310 |
| 25+ | $0.262 |
| 50+ | $0.212 |
| 100+ | $0.164 |
| 250+ | $0.149 |
| 500+ | $0.134 |
| 1000+ | $0.109 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP56D0UFB-7
No. Parte Newark28AK8793
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4.6ohm
Diseño de TransistorX1-DFN1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia425mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X1-DFN1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
425mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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