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DMP4065S-7
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4065S-7
No. Parte Newark07AH3813
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.440 |
| 10+ | $0.243 |
| 25+ | $0.224 |
| 50+ | $0.206 |
| 100+ | $0.187 |
| 250+ | $0.175 |
| 500+ | $0.162 |
| 1000+ | $0.148 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4065S-7
No. Parte Newark07AH3813
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id2.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.064ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd720mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia720
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMP4065S-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include battery charging, power management functions, DC-DC converters, portable power adaptors.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -40V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -2.4A at TC = +25°C, steady state, VGS = -10V
- Pulsed drain current is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.72W
- Static drain-source on-resistance is 80mohm max at VGS = -10V, ID = -4.2A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.064ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
720mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
720
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMP4065S-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65