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DMP4025SFGQ-13
MOSFET, P-CH, 40V, 7.2A, POWERDI 3333 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4025SFGQ-13
No. Parte Newark28AK8784
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.894 |
| 10+ | $0.655 |
| 25+ | $0.597 |
| 50+ | $0.538 |
| 100+ | $0.480 |
| 250+ | $0.447 |
| 500+ | $0.413 |
| 1000+ | $0.372 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4025SFGQ-13
No. Parte Newark28AK8784
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id7.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 3333
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia810mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Diseño de Transistor
PowerDI 3333
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
810mW
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
7.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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