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DMP4025LSD-13
MOSFET, CANAL P DOBLE, -40 V, SOIC8
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4025LSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6591
Cinta adhesiva82Y6591
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Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.450 | $7.25 |
| Total Precio | $7.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.450 |
| 10+ | $0.913 |
| 25+ | $0.810 |
| 50+ | $0.706 |
| 100+ | $0.603 |
| 250+ | $0.537 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP4025LSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6591
Cinta adhesiva82Y6591
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.018ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.8W
Disipación de Potencia de Canal P1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.018ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.8W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.018ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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