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DMP32D4S-13
MOSFET, P-CH, 30V, 0.3A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP32D4S-13
No. Parte Newark28AK8768
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.443 |
| 10+ | $0.270 |
| 25+ | $0.237 |
| 50+ | $0.204 |
| 100+ | $0.171 |
| 250+ | $0.149 |
| 500+ | $0.128 |
| 1000+ | $0.102 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.22
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP32D4S-13
No. Parte Newark28AK8768
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.4ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia370mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
370mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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