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DMP31D7LDW-7
MOSFET, DUAL, P-CH, 30V, 0.5A ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $0.214 |
| 25+ | $0.187 |
| 50+ | $0.162 |
| 100+ | $0.135 |
| 250+ | $0.117 |
| 500+ | $0.100 |
| 1000+ | $0.085 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP31D7LDW-7
No. Parte Newark28AK8762
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N550mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P550mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.9ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400mW
Disipación de Potencia de Canal P400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
550mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.9ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
400mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
550mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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